利用光电化学研究缓蚀剂的作用效果
光电化学法是一种原位研究方法，该方法利用电极表面具有半导体性质的氧化物、卤化物、硫化物及钝化膜层在合适能量的光照射下产生的光电效应，获得电极表面层组成的结构信息。该方法对于表征半导体膜的光学和电子性质、分析金属表面层的组成。电化学系统中的光电效应早已被研究者所注意。自70年代以来，随着半导体光电化学理论的迅速发展，光电化学法方法作为一种有效的电化学现场研究技术已用于金属电极钝化膜结构和组成的研究，光电化学方法除了考虑在钝化膜/溶液界面进行的电化学反应外，更重要的是可用于探讨钝化膜的固态性质。钝化膜本质的细微变化都将反应在光响应上，因此最近已有光电化学方法应用于研究钝化膜的局部破坏方面的报道。汪鹰等采用光电化学的方法研究了复合缓蚀剂对钢筋钝化膜的影响。结果表明复合缓蚀剂的加入没有改变钢筋钝化膜的晶体结构和电子性质，它依然是无定形n型的半导体成相膜，但对抑制点蚀核的形成有明显作用，且对钝化膜的生长速度有加快作用，从而可能使钝化膜的组成发生改变。徐群杰用光电化学方法研究了Cu在不同浓度NaCl的硼酸-硼砂溶液中的腐蚀以及缓蚀剂聚天冬氨酸（PASP）对Cu的缓蚀作用。Cu在硼酸-硼砂缓冲溶液中，表面的Cu2O膜为p型半导体。当Cu所在的溶液中存在少量NaCl（小于0.5g/L）时，Cu表面Cu2O膜会受轻微Cl-掺杂但不会改变半导体性质；当溶液中存在较多NaCl（0.5-15g/L）时，Cu2O膜会受到Cl-较严重的侵蚀，Cl-掺杂使Cu2O膜部分转成n型；当溶液中存在大量NaCl（大于15g/L）时，Cu2O膜完全被Cl-掺杂而转型成n型。PASP的加入能够对Cu起到缓蚀作用：当NaCl浓度为2g/L时，PASP与溶液中的Cl-在Cu表面竞争吸附，明显抑制了Cl-对Cu2O膜的掺杂，Cu2O受到了保护仍为p型。
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2013年9月5日
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